采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA008P20LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4383pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：7610，"07+"：4000，"08+"：4000，"10+"：4000，"9999"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：6000，"09+"：54688}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443BT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：819pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：64900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA008P20LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4383pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P02R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA008P20LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4383pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：6000，"09+"：54688}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443BT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：819pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：7610，"07+"：4000，"08+"：4000，"10+"：4000，"9999"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：64900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA008P20LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4383pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
