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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMJS1D2N04CLTWG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
功率：3.8W€128W
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
栅极电荷：93nC@10V
阈值电压：2V@170µA
输入电容：5600pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：5600pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
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阈值电压：2V@170µA
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输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
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功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：2V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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