品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2974,"10+":202,"12+":199,"13+":564,"14+":63445,"16+":7500,"18+":39000,"19+":22914,"21+":27500,"22+":3872}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4858NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€54.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1563pF@12V
连续漏极电流:11.2A€73A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":59025}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3808NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@12V
连续漏极电流:12A€76A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":7085,"09+":2310,"10+":2500,"11+":31427}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4884NFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2500,"18+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4806NAT4G
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2142pF@12V
连续漏极电流:11.3A€79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":59502}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4917NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:880mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1054pF@25V
连续漏极电流:7.1A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP5800
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":14194,"08+":50,"09+":822}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4108NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€96.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7002N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:510mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@510mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2900,"13+":770}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4810NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12V
连续漏极电流:9A€54A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":265,"10+":63975}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4815NH-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.26W€32.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:845pF@12V
连续漏极电流:6.9A€35A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5867NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:19A€136A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@45A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":22500,"11+":517500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4865NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€33.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@12V
连续漏极电流:8.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":19129,"22+":4931,"24+":3000,"9999":86,"MI+":325}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8016S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€35A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":5000,"08+":15230,"10+":47314}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS3P03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":11480}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD4809NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@11.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1456pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5113PLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:10A€64A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4939NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16200pF@25V
连续漏极电流:62.2A€477A
类型:N沟道
导通电阻:0.68mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":37500,"04+":2399,"08+":4610,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS3P03R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€205W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12238pF@25V
连续漏极电流:67A€433A
类型:N沟道
导通电阻:0.63mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: