品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
漏源电压:25V
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86012
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:23A
功率:2.3W€54W
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:2.7mΩ@23A,4.5V
栅极电荷:38nC@4.5V
ECCN:EAR99
输入电容:5075pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8425
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:1098pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:680mA
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUF4189NZTBG
导通电阻:200mΩ@1.5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
输入电容:95pF@15V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4409NT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
漏源电压:25V
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:680mA
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86012
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:23A
功率:2.3W€54W
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:2.7mΩ@23A,4.5V
栅极电荷:38nC@4.5V
ECCN:EAR99
输入电容:5075pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":62500}
规格型号(MPN):NDS8425
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:1098pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:680mA
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
栅极电荷:5nC@4.5V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN339AN
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
输入电容:700pF@10V
功率:500mW
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN339AN
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
输入电容:700pF@10V
功率:500mW
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:109pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:680mA
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":525,"21+":2031,"22+":14309,"23+":1545}
规格型号(MPN):FDMC86012
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:23A
功率:2.3W€54W
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:2.7mΩ@23A,4.5V
栅极电荷:38nC@4.5V
ECCN:EAR99
输入电容:5075pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN339AN
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
输入电容:700pF@10V
功率:500mW
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4405NT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:630mW
漏源电压:25V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:1A
ECCN:EAR99
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
漏源电压:25V
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4405NT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:630mW
漏源电压:25V
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:1A
ECCN:EAR99
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
栅极电荷:5nC@4.5V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:680mA
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: