采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4C12NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C027NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C59NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：75000，"16+"：4550，"22+"：136500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：10.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：59192}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C032NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.46W€21.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：13A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C08NT1G-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：761402}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€21.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：33000，"19+"：6000，"20+"：1500，"21+"：513300，"22+"：270000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C027NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：273，"20+"：1418，"21+"：1227，"22+"：17322}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：273，"20+"：1418，"21+"：1227，"22+"：17322}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C08NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C08NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C08NAT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C028NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.73mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C027NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C08NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2410，"21+"：16262}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C08NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：67500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.55W€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.55W€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：20A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
