采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
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功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDD1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.9W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8030
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功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.9W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FDD1600N10ALZ
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功率：14.9W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：3.61nC@10V
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输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
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功率：10.42W
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输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
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功率：10.42W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.77nC@10V
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输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
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栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
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输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：14.9W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：3.61nC@10V
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输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.9W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.9W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：3.61nC@10V
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输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8030
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.9W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8030
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功率：800mW
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输入电容：1975pF@20V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：10mΩ@12A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
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栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：14.9W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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