采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS004N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2935，"23+"：5115，"24+"：5577}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2935，"23+"：5115，"24+"：5577}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
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功率：1.7W€26W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：79500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2935，"23+"：5115，"24+"：5577}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：79500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：948pF@30V
连续漏极电流：9A€38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1630，"23+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：79500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
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输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1630，"23+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：79500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
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输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
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输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS004N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：15A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
