采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4.2V@250µA
导通电阻：19mΩ@50A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：1430pF@30V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
栅极电荷：30nC@10V
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
