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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS3D7N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@120µA
栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2383pF@30V
连续漏极电流：16A€103A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS3D7N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2383pF@30V
连续漏极电流：16A€103A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS3D7N06HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@120µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2383pF@30V
连续漏极电流：16A€103A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS2D1N04HLTWG
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@120µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@20V
连续漏极电流：24A€150A
类型：N沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTTFS3D7N06HLTWG
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栅极电荷：32.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2383pF@30V
连续漏极电流：16A€103A
类型：N沟道
漏源电压：60V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：43.6nC@10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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销售单位：个
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输入电容：2383pF@30V
包装方式：卷带（TR）
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ECCN：EAR99
连续漏极电流：16A€103A
漏源电压：60V
栅极电荷：32.7nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS3D7N06HLTWG
输入电容：2383pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：2V@120µA
ECCN：EAR99
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