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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：2V@16µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C682NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@16µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：8.8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMYS021N06CLTWG
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栅极电荷：5nC@10V
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连续漏极电流：9.8A€27A
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类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：9.8A€27A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
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导通电阻：21mΩ@10A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：NVMFS5C682NLWFAFT1G
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类型：N沟道
阈值电压：2V@16µA
漏源电压：60V
连续漏极电流：8.8A€25A
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功率：3.5W€28W
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栅极电荷：5nC@10V
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：8.8A€25A
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漏源电压：60V
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连续漏极电流：8.8A€25A
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连续漏极电流：9.8A€27A
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：8.8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：8.8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：8.8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
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