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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C406NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€179W
阈值电压：2V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：149nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9400pF@20V
连续漏极电流：53A€362A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2293，"22+"：8970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D4N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€180W
阈值电压：2V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7430pF@30V
连续漏极电流：39A€262A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"22+"：3308}
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€180W
阈值电压：2V@280µA
栅极电荷：103nC@10V
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输入电容：7430pF@30V
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：149nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9400pF@20V
连续漏极电流：53A€362A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：103nC@10V
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连续漏极电流：39A€262A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
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栅极电荷：103nC@10V
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行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2293，"22+"：8970}
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规格型号(MPN)：NVMJS1D4N06CLTWG
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMJS1D4N06CLTWG
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功率：4W€180W
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：149nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMJS1D4N06CLTWG
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功率：4W€180W
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€180W
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功率：4W€180W
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栅极电荷：103nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€180W
阈值电压：2V@280µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7430pF@30V
连续漏极电流：39A€262A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C406NLT1G
包装方式：卷带（TR）
功率：3.9W€179W
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导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
类型：N沟道
阈值电压：2V@280µA
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栅极电荷：149nC@10V
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输入电容：9400pF@20V
连续漏极电流：53A€362A
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导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3308}
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规格型号(MPN)：NTMJS1D4N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€180W
阈值电压：2V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：39A€262A
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