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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
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阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8153，"MI+"：4638}
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规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
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连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
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漏源电压：40V
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功率：3.8W€44.1W
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连续漏极电流：9.4A€32A
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功率：3.8W€44.1W
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包装方式：卷带（TR）
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
漏源电压：40V
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
连续漏极电流：9.4A€32A
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类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
栅极电荷：16nC@10V
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
漏源电压：40V
功率：3.8W€44.1W
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