品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
阈值电压:4.3V@25mA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:145A
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:650V
栅极电荷:283nC@18V
导通电阻:18mΩ@75A,18V
功率:500W
输入电容:4689pF@325V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4790pF@325V
连续漏极电流:142A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@25mA
栅极电荷:283nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4689pF@325V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@75A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: