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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D1N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€153W
阈值电压：4V@210µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5410pF@25V
连续漏极电流：48.8A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：27000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D1N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€153W
阈值电压：4V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5410pF@25V
连续漏极电流：48.8A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NVMTS1D1N04CTXG
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阈值电压：4V@210µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5410pF@25V
连续漏极电流：48.8A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NVMTS1D1N04CTXG
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阈值电压：4V@210µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5410pF@25V
连续漏极电流：48.8A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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生产批次：{"22+"：27000}
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规格型号(MPN)：NVMTS1D1N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€153W
阈值电压：4V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5410pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
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阈值电压：4V@210µA
ECCN：EAR99
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输入电容：5410pF@25V
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输入电容：5410pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
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输入电容：5410pF@25V
连续漏极电流：48.8A€277A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：5410pF@25V
连续漏极电流：48.8A€277A
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导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：48.8A€277A
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导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
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