品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),49W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:670 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),49W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:670 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:2.5W(Ta),49W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:670 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:600V
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功率:2.5W(Ta),49W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:670 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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