品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),65W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515 pF @ 20 V
连续漏极电流:16.4A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.7 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),65W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515 pF @ 20 V
连续漏极电流:16.4A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.7 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),65W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515 pF @ 20 V
连续漏极电流:16.4A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.7 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),40W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
输入电容:4550 pF @ 30 V
连续漏极电流:13.5A(Ta),22A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.9 毫欧 @ 13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),65W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515 pF @ 20 V
连续漏极电流:16.4A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.7 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),65W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:64 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515 pF @ 20 V
连续漏极电流:16.4A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.7 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: