采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA38N30
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：312W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：2600 pF @ 25 V
连续漏极电流：38A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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阈值电压：5V @ 250µA
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包装方式：管件
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类型：N 通道
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规格型号(MPN)：FDA38N30
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：312W（Tc）
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ECCN：EAR99
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类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 19A，10V
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规格型号(MPN)：FDA38N30
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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类型：N 通道
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ECCN：EAR99
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类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA38N30
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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包装方式：管件
输入电容：2600 pF @ 25 V
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类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：174}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA38N30
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ECCN：EAR99
栅极电荷：60 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：2600 pF @ 25 V
连续漏极电流：38A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA38N30
栅极电荷：60 nC @ 10 V
阈值电压：5V @ 250µA
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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类型：N 通道
功率：312W（Tc）
包装方式：管件
输入电容：2600 pF @ 25 V
漏源电压：300V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：174}
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销售单位：个
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：174}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA38N30
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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阈值电压：5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：2600 pF @ 25 V
连续漏极电流：38A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：174}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA38N30
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：312W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：2600 pF @ 25 V
连续漏极电流：38A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA38N30
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：312W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：2600 pF @ 25 V
连续漏极电流：38A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA38N30
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：312W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：2600 pF @ 25 V
连续漏极电流：38A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA38N30
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：312W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：2600 pF @ 25 V
连续漏极电流：38A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2145
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321LDC
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.9W（Ta），56W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965 pF @ 20 V
连续漏极电流：27A（Ta），108A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.5 毫欧 @ 27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D6N10MCLT1G
连续漏极电流：19.5A（Ta），131A（Tc）
栅极电荷：60 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
类型：N 通道
导通电阻：3.6 毫欧 @ 48A，10V
输入电容：4411 pF @ 50 V
功率：3W（Ta），136W（Tc）
漏源电压：100V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
阈值电压：3V @ 270µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
