采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D2N10MDT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：155W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：142A
类型：MOSFET
导通电阻：3.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D2N10MDT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：155W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：142A
类型：MOSFET
导通电阻：3.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTP12N60C3D
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：96A
反向恢复时间：40ns
关断损耗：900µJ
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：48nC
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，15A
导通损耗：380µJ
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTP12N60C3D
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：96A
反向恢复时间：40ns
关断损耗：900µJ
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：48nC
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，15A
导通损耗：380µJ
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTP12N60C3D
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：96A
反向恢复时间：40ns
关断损耗：900µJ
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：48nC
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，15A
导通损耗：380µJ
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
