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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
包装方式：卷带（TR）
功率：2.5W（Ta）
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
栅极电荷：46 nC @ 10 V
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76429S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480 pF @ 25 V
连续漏极电流：47A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：22 毫欧 @ 47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
