品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2955pF@75V
连续漏极电流:9.3A€28A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7672S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@15V
连续漏极电流:14.8A€18A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC4D2N10MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.9W€122W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2856pF@50V
连续漏极电流:29.6A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2315pF@100V
连续漏极电流:3.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@3.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2315pF@100V
连续漏极电流:3.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@3.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC4D2N10MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.9W€122W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2856pF@50V
连续漏极电流:29.6A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:2.855nF@15V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10V,14.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7672S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@15V
连续漏极电流:14.8A€18A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2855pF@15V
连续漏极电流:14.8A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2315pF@100V
连续漏极电流:3.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@3.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2855pF@15V
连续漏极电流:14.8A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:4V@260μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.365nF@60V
连续漏极电流:93A
类型:1个N沟道
反向传输电容:5.8pF@60V
导通电阻:5mΩ@10V,46A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2315pF@100V
连续漏极电流:3.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@3.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC4D2N10MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.9W€122W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2856pF@50V
连续漏极电流:29.6A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2955pF@75V
连续漏极电流:9.3A€28A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7672S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@15V
连续漏极电流:14.8A€18A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC4D2N10MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.9W€122W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2856pF@50V
连续漏极电流:29.6A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2315pF@100V
连续漏极电流:3.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@3.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2955pF@75V
连续漏极电流:9.3A€28A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC4D2N10MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.9W€122W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2856pF@50V
连续漏极电流:29.6A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2855pF@15V
连续漏极电流:14.8A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2855pF@15V
连续漏极电流:14.8A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@14.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2955pF@75V
连续漏极电流:9.3A€28A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC4D2N10MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.9W€122W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2856pF@50V
连续漏极电流:29.6A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: