采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：70，"19+"：30180，"MI+"：700}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：44，"20+"：43，"23+"：6150，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：248}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8888
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1585pF@15V
连续漏极电流：13.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：70，"19+"：30180，"MI+"：700}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：39790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N65S3R0L
工作温度：-55℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@1.7mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：71，"18+"：7650，"19+"：38900，"21+"：27，"23+"：398，"9999"：350，"MI+"：2257}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2406，"22+"：47354，"23+"：36150，"24+"：6000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：44，"20+"：43，"23+"：6150，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@1.7mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：44，"20+"：43，"23+"：6150，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：71，"18+"：7650，"19+"：38900，"21+"：27，"23+"：398，"9999"：350，"MI+"：2257}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：71，"18+"：7650，"19+"：38900，"21+"：27，"23+"：398，"9999"：350，"MI+"：2257}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BFL4026-1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@1.7mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@1.7mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT180N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4.5V@1.8mA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@400V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
