采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1433-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1433-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：245000，"16+"：340000，"17+"：4000，"18+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1433-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1433-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1433-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：16890，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：245000，"16+"：340000，"17+"：4000，"18+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1433-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：43290}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3456-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：43290}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3456-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
