品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}
包装规格(MPQ):144psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7678-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€19.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}
包装规格(MPQ):144psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":50500,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€19.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":69000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€19.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP42AN15A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:5A€35A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@12A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":69000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€19.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15ALZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.76nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1893}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7678-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€19.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7678-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€19.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBGS3D5N06C
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€115W
阈值电压:4V@122µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@30V
连续漏极电流:22A€127A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@24A,12V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP42AN15A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:5A€35A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@12A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":18901,"21+":283,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF13N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1930pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF190N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
连续漏极电流:27.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):144psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):144psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH165N65S3R0-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: