采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP42AN15A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP42AN15A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€72W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：18A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP42AN15A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€72W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：18A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP42AN15A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP42AN15A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP42AN15A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
