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    栅极电荷
    行业应用
    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 38 nC @ 10 V
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 3.7A(Ta)
    当前匹配商品:7
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF5P03T3G

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.56W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950 pF @ 25 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:100 毫欧 @ 5.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF5P03T3G

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.56W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950 pF @ 25 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:100 毫欧 @ 5.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF5P03T3G

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.56W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950 pF @ 25 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:100 毫欧 @ 5.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF5P03T3G

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.56W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950 pF @ 25 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:100 毫欧 @ 5.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF5P03T3G

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.56W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950 pF @ 25 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:100 毫欧 @ 5.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF5P03T3G

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.56W(Ta)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950 pF @ 25 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:100 毫欧 @ 5.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF5P03T3G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF5P03T3G

    类型:P 通道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:100 毫欧 @ 5.2A,10V

    功率:1.56W(Ta)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    输入电容:950 pF @ 25 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    阈值电压:3V @ 250µA

    包装清单:商品主体 * 1

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