品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1890}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS010N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€32W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:13A€43A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@24V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H858NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:623pF@40V
连续漏极电流:8.7A€30A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS034N15MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:4.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@75V
连续漏极电流:6.1A€31A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@13A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS034N15MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:4.5V@70µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@75V
连续漏极电流:6.1A€31A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@13A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS034N15MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:4.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@75V
连续漏极电流:6.1A€31A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@13A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:308pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":670,"16+":38035,"17+":15323}
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1350-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@9.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:9A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@24V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@24V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS034N15MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:4.5V@70µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@75V
连续漏极电流:6.1A€31A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@13A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5547,"21+":368,"22+":2450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:9A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS034N15MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:4.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@75V
连续漏极电流:6.1A€31A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@13A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@24V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":213,"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS034N15MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:4.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@75V
连续漏极电流:6.1A€31A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@13A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS034N15MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:4.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@75V
连续漏极电流:6.1A€31A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@13A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@24V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H858NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€42W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:623pF@40V
连续漏极电流:8.7A€30A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1500,"11+":75,"14+":40597,"16+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD03N60Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:61W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:312pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: