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    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 12nC@10V
    漏源电压: 500V
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:20+
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    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订916个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订916个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:308pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF5N50NZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF5N50NZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF5N50NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.25A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF5N50NZF 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF5N50NZF 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF5N50NZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75Ω@2.1A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF5N50NZF 起订423个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF5N50NZF 起订423个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF5N50NZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

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    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75Ω@2.1A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF5N50NZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF5N50NZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF5N50NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.25A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50Z-1G 起订916个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50Z-1G 起订916个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":23400,"14+":2400,"17+":2475}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N50Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:308pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZFTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75Ω@1.85A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:4.5V@50µA

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    栅极电荷:12nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:308pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50Z-1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50Z-1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":23400,"14+":2400,"17+":2475}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N50Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:308pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50Z-1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50Z-1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N50Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:308pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订916个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订916个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:308pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZFTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75Ω@1.85A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF5N50NZF 起订351个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF5N50NZF 起订351个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF5N50NZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75Ω@2.1A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZFTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75Ω@1.85A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZFTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75Ω@1.85A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZFTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75Ω@1.85A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订20000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订20000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZFTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75Ω@1.85A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订20000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订20000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZFTM

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62.5W

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    导通电阻:1.75Ω@1.85A,10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:12nC@10V

    连续漏极电流:3.7A

    输入电容:485pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N50NZFTM 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZFTM

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62.5W

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    导通电阻:1.75Ω@1.85A,10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:12nC@10V

    连续漏极电流:3.7A

    输入电容:485pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

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