采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50NZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.75Ω@2.1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50NZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.75Ω@2.1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDPF5N50NZ
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功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
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功率：30W
连续漏极电流：41A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDPF5N50NZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.75Ω@2.1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
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栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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