采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5612
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.8W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660 pF @ 30 V
连续漏极电流：5.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：55 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1596，"22+"：16939，"MI+"：3727}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1596，"22+"：16939，"MI+"：3727}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1596，"22+"：16939，"MI+"：3727}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
输入电容：344 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：425 毫欧 @ 1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5612
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.8W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660 pF @ 30 V
连续漏极电流：5.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：55 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
包装方式：卷带（TR）
功率：3W（Ta）
栅极电荷：11 nC @ 10 V
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
类型：N 通道
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：2.7A（Ta）
输入电容：155 pF @ 25 V
阈值电压：4V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：1596，"22+"：16939，"MI+"：3727}
规格型号(MPN)：NDT014
包装方式：卷带（TR）
功率：3W（Ta）
栅极电荷：11 nC @ 10 V
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
类型：N 通道
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：2.7A（Ta）
输入电容：155 pF @ 25 V
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
包装方式：卷带（TR）
功率：3W（Ta）
栅极电荷：11 nC @ 10 V
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
类型：N 通道
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：2.7A（Ta）
输入电容：155 pF @ 25 V
阈值电压：4V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
包装方式：卷带（TR）
功率：3W（Ta）
栅极电荷：11 nC @ 10 V
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
类型：N 通道
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：2.7A（Ta）
输入电容：155 pF @ 25 V
阈值电压：4V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
包装方式：卷带（TR）
功率：3W（Ta）
栅极电荷：11 nC @ 10 V
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
类型：N 通道
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：2.7A（Ta）
输入电容：155 pF @ 25 V
阈值电压：4V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
包装方式：卷带（TR）
功率：3W（Ta）
栅极电荷：11 nC @ 10 V
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
类型：N 通道
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：2.7A（Ta）
输入电容：155 pF @ 25 V
阈值电压：4V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5612
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.8W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660 pF @ 30 V
连续漏极电流：5.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：55 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5612
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.8W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660 pF @ 30 V
连续漏极电流：5.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：55 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
