品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86580-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86580-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86580-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":180000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5844NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€107W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@25V
连续漏极电流:11.2A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":180000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5844NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€107W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@25V
连续漏极电流:11.2A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":2765}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD18N06-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1670}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: