品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB12P20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€120W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:P沟道
导通电阻:470mΩ@5.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2965,"17+":6400,"18+":79000,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP380N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1665pF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":439,"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3816-DL-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":7000,"24+":2250}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:56W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:19.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€73W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2790pF@30V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2965,"17+":6400,"18+":79000,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP380N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1665pF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€73W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2790pF@30V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2965,"17+":6400,"18+":79000,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP380N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1665pF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1845pF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":905,"22+":4000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:11.8A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@14A,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@14A,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP085N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2695pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@96A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1845pF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€73W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2790pF@30V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: