采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86063
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5120pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：45600，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86310
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@40V
连续漏极电流：17A€50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86310
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@40V
连续漏极电流：17A€50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86063
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5120pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86063-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
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输入电容：5120pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
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栅极电荷：95nC@10V
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连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86063-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5120pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86063
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5120pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86310
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@40V
连续漏极电流：17A€50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86063-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5120pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86310
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@40V
连续漏极电流：17A€50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86310
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@40V
连续漏极电流：17A€50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86063-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5120pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86310
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@40V
连续漏极电流：17A€50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86063-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5120pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86063
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5120pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP125N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2990pF@380V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86310
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@40V
连续漏极电流：17A€50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP125N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2990pF@380V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
