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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：9204，"04+"：605775}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS2101PT1
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@6.4V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：140，"04+"：29100}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：850，"08+"：378，"10+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：140，"04+"：29100}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS2101PT1
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@6.4V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：850，"08+"：378，"10+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：9204，"04+"：602775}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS2101PT1
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@6.4V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：850，"08+"：378，"10+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：140，"04+"：29100}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：4059，"03+"：32500，"04+"：10000，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS2101PT1
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@6.4V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"03+"：140，"04+"：29100}
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
连续漏极电流：60A
ECCN：EAR99
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
阈值电压：3V@250µA
输入电容：2150pF@24V
功率：75W
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：9.1A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：900mW
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：6mΩ@14A，10V
输入电容：2310pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"03+"：140，"04+"：29100}
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
连续漏极电流：60A
ECCN：EAR99
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
阈值电压：3V@250µA
输入电容：2150pF@24V
功率：75W
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：9.1A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：900mW
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：6mΩ@14A，10V
输入电容：2310pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：850，"08+"：378，"10+"：6000}
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：9.1A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：900mW
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：6mΩ@14A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：2310pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：4059，"03+"：32500，"04+"：10000，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
