首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    栅极电荷
    关断延迟时间
    行业应用
    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 53nC
    关断延迟时间: 120ns
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订573个装
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订573个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"18+":11064}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB10N60R2DT4G

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):40A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:90ns

    关断损耗:140µJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:53nC

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,10A

    导通损耗:412µJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订1000个装
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"18+":11064}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB10N60R2DT4G

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):40A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:90ns

    关断损耗:140µJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:53nC

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,10A

    导通损耗:412µJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订1000个装
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"15+":38,"21+":1252}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB10N60R2DT4G

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):40A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:90ns

    关断损耗:140µJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:53nC

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,10A

    导通损耗:412µJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订5000个装
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB10N60R2DT4G

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):40A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:90ns

    关断损耗:140µJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:53nC

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,10A

    导通损耗:412µJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订5000个装
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"18+":11064}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB10N60R2DT4G

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):40A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:90ns

    关断损耗:140µJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:53nC

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,10A

    导通损耗:412µJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订1000个装
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB10N60R2DT4G

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):40A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:90ns

    关断损耗:140µJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:53nC

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,10A

    导通损耗:412µJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订1000个装
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    生产批次:{"15+":38,"21+":1252}

    规格型号(MPN):NGTB10N60R2DT4G

    关断延迟时间:120ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,10A

    ECCN:EAR99

    工作温度:175℃

    导通损耗:412µJ

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:53nC

    关断损耗:140µJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极脉冲电流(Icm):40A

    反向恢复时间:90ns

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订573个装
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订573个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"15+":38,"21+":1252}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB10N60R2DT4G

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):40A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:90ns

    关断损耗:140µJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:53nC

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,10A

    导通损耗:412µJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订5000个装
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"15+":38,"21+":1252}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB10N60R2DT4G

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):40A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:90ns

    关断损耗:140µJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:53nC

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,10A

    导通损耗:412µJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订1087个装
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订1087个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB10N60R2DT4G

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):40A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:90ns

    关断损耗:140µJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:53nC

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,10A

    导通损耗:412µJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订1100个装
    onsemi IGBT NGTB10N60R2DT4G 起订1100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGTB10N60R2DT4G

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    集电极脉冲电流(Icm):40A

    关断延迟时间:120ns

    反向恢复时间:90ns

    关断损耗:140µJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    栅极电荷:53nC

    集电极电流(Ic):2.1V@15V,10A

    导通损耗:412µJ

    工作温度:175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧