品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":59025}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3808NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@12V
连续漏极电流:12A€76A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":1875}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD95N02R-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€86W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:12A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":59025}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3808NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@12V
连续漏极电流:12A€76A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS1135PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:970mW
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":13725}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD95N02R-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€86W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:12A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS1135PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:970mW
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3808N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@12V
连续漏极电流:12A€76A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD95N02R-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€86W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:12A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD95N02RT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€86W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:12A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":7275}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3808N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@12V
连续漏极电流:12A€76A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4142}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD95N02RG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€86W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:12A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD95N02RT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€86W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:12A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3808N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@12V
连续漏极电流:12A€76A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存: