品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2250}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD65N03R
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:9.5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":49870,"06+":72418,"07+":950}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD65N03RT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:9.5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
输入电容:1.205nF@15V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
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连续漏极电流:11A
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导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
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导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
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连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
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库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
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导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
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连续漏极电流:11A
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导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
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导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":2400,"06+":3511}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD65N03R-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:9.5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
输入电容:1.205nF@15V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
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连续漏极电流:11A
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导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
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导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
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库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
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连续漏极电流:11A
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导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
输入电容:1.205nF@15V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
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连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
输入电容:1.205nF@15V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
输入电容:1.205nF@15V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":49870,"06+":72418,"07+":950}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD65N03RT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:9.5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD65N03R
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€50W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:9.5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD65N03RT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€50W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:9.5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:16nC@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.5W
连续漏极电流:11A
输入电容:1.205nF@15V
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:16nC@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.5W
连续漏极电流:11A
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阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
栅极电荷:16nC@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.5W
连续漏极电流:11A
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导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
输入电容:1.205nF@15V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: