采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：10106，"21+"：8405，"22+"：26339，"24+"：30000，"MI+"：2932}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
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输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：621，"19+"：3，"21+"：2678，"23+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
