采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF20N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6000，"24+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF27N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：330，"23+"：122}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6000，"24+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF27N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11880，"23+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF27N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
