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    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 69nC@10V
    当前匹配商品:80+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订348个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订348个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8177}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:2V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4850pF@25V

    连续漏极电流:31A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:2V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4850pF@25V

    连续漏极电流:31A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86066-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@50V

    连续漏极电流:185A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8177}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:2V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4850pF@25V

    连续漏极电流:31A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订175个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订175个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":241}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86066-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@50V

    连续漏极电流:185A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86066-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@50V

    连续漏极电流:185A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86066-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@50V

    连续漏极电流:185A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3651U 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3651U 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP3651U

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5522pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86066-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@50V

    连续漏极电流:185A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86066-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@50V

    连续漏极电流:185A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:2V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4850pF@25V

    连续漏极电流:31A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3651U 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3651U 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP3651U

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5522pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:2V@180µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4850pF@25V

    连续漏极电流:31A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF041N06BL1 起订314个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF041N06BL1 起订314个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF041N06BL1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5690pF@30V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@77A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3651U 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3651U 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP3651U

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5522pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3651U 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3651U 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP3651U

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5522pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:2V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4850pF@25V

    连续漏极电流:31A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8177}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:2V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4850pF@25V

    连续漏极电流:31A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86066-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86066-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@50V

    连续漏极电流:185A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF11N50ZH 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF11N50ZH 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF11N50ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1645pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8177}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:2V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4850pF@25V

    连续漏极电流:31A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3651U 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3651U 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP3651U

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5522pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3651U 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3651U 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP3651U

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5522pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D2N06CLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:2V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4850pF@25V

    连续漏极电流:31A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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