品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8177}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:31A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:31A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8177}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:31A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":241}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3651U
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5522pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:31A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3651U
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5522pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:31A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF041N06BL1
工作温度:-55℃~175℃
功率:44.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5690pF@30V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@77A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3651U
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5522pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3651U
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5522pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:31A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8177}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:31A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3240pF@50V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF11N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8177}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:31A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3651U
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5522pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3651U
工作温度:-55℃~175℃
功率:255W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5522pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:31A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: