生产批次：{"21+"：123，"22+"：351，"23+"：900}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FGA40S65SH

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：68.8ns

关断损耗：388µJ

开启延迟时间：19.2ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：73nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：1.81V@15V，40A

导通损耗：194µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：123，"22+"：351，"23+"：900}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FGA40S65SH

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：68.8ns

关断损耗：388µJ

开启延迟时间：19.2ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：73nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：1.81V@15V，40A

导通损耗：194µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMD8680

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.3W

阈值电压：2V

栅极电荷：73nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：123，"22+"：351，"23+"：900}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FGA40S65SH

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：68.8ns

关断损耗：388µJ

开启延迟时间：19.2ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：73nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：1.81V@15V，40A

导通损耗：194µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMD8680

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.3W

阈值电压：2V

栅极电荷：73nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：4.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FGA40S65SH

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：120A

关断延迟时间：68.8ns

关断损耗：388µJ

开启延迟时间：19.2ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：73nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：1.81V@15V，40A

导通损耗：194µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FGA40S65SH

导通损耗：194µJ

栅极电荷：73nC

类型：沟槽型场截止

集电极脉冲电流(Icm)：120A

工作温度：-55℃ ~ 175℃

关断损耗：388µJ

集电极截止电流(Ices)：650V

集电极电流(Ic)：1.81V@15V，40A

开启延迟时间：19.2ns

包装方式：管件

关断延迟时间：68.8ns

包装清单：商品主体 * 1