品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":75000,"16+":4550,"22+":136500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":59192}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C032NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.46W€21.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:13A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":273,"20+":1418,"21+":1227,"22+":17322}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":273,"20+":1418,"21+":1227,"22+":17322}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C032NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.46W€21.6W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:13A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":59192}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C032NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.46W€21.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:13A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":75000,"16+":4550,"22+":136500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: