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    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8D5N10C 起订72个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8D5N10C 起订72个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":665,"19+":926,"MI+":615}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€35W

    阈值电压:4V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2475pF@50V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS002N04CTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS002N04CTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS002N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€85W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:27A€136A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8D5N10C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8D5N10C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€35W

    阈值电压:4V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2475pF@50V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS4D1N06CLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS4D1N06CLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS4D1N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€79W

    阈值电压:2V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS002N04CTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS002N04CTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS002N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€85W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:27A€136A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2572 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2572 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP2572

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:4A€29A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@9A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDFP03N150CG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDFP03N150CG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDFP03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2W€32W

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP102-TL-H 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP102-TL-H 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP102-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:40W

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:18.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF12N60NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1676pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5810-F085 起订798个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5810-F085 起订798个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5810-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@25V

    连续漏极电流:7.4A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB190N65S3F 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB190N65S3F 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB190N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:162W

    阈值电压:5V@430µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NLT1G 起订286个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NLT1G 起订286个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":174,"23+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8678S 起订479个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8678S 起订479个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8678S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2075pF@15V

    连续漏极电流:15A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NLT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NLT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":174,"23+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB190N65S3F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB190N65S3F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB190N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:162W

    阈值电压:5V@430µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL190N65S3HF 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL190N65S3HF 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL190N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:162W

    阈值电压:5V@430µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1610pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":17100,"23+":810,"MI+":540}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€140W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":30,"23+":1800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€140W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2572 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2572 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP2572

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:4A€29A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@9A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB190N65S3HF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB190N65S3HF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB190N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:162W

    阈值电压:5V@430µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1610pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C628NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:4V@135µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2630pF@30V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@27A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2572 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2572 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2572

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:4A€29A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@9A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8D5N10C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8D5N10C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP8D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€107W

    阈值电压:4V@130µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2475pF@50V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8D5N10C 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8D5N10C 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP8D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€107W

    阈值电压:4V@130µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2475pF@50V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP190N65S3HF 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP190N65S3HF 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":458}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP190N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:162W

    阈值电压:5V@430µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1610pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5810-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5810-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5810-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@25V

    连续漏极电流:7.4A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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