采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBV5605T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@8.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBV5605T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@8.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：22nC@5V
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@5V，9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
功率：3.2W€63W
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：15A€66A
输入电容：1755pF@15V
导通电阻：8mΩ@15A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
功率：3.2W€63W
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：15A€66A
输入电容：1755pF@15V
导通电阻：8mΩ@15A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：65mΩ@9A，5V
输入电容：675pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD18N06LT4G
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：65mΩ@9A，5V
输入电容：675pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
