采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC3S5A51PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：262pF@20V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：40000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：40000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
