采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2470，"23+"：30}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86116LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.3A€7.5A
类型：N沟道
导通电阻：103mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
