品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC86244
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:345pF@75V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:144mΩ@2.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC86244
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:345pF@75V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:144mΩ@2.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3N40TF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3.7pF@25V
导通电阻:2.8mΩ@10V,1A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
规格型号(MPN):FDD6N25TM
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:50W
漏源电压:250V
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
连续漏极电流:4.4A
输入电容:250pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€20W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:327pF@25V
连续漏极电流:7.82A€20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:6pF@25V
导通电阻:22mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: