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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
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功率：470mW
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栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"22+"：3600，"23+"：39000}
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
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栅极电荷：4.3nC@10V
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输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
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漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
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连续漏极电流：1.1A
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连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
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阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
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漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
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漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
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连续漏极电流：1.1A
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
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栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：P沟道
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栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
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类型：P沟道
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漏源电压：60V
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功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
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漏源电压：60V
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功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：230mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
功率：470mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.1A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：240pF@25V
漏源电压：60V
栅极电荷：4.3nC@10V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
导通电阻：230mΩ@3A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
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栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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