品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":63000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1795pF@13V
连续漏极电流:16.7A€49A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":36000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4939NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1979pF@15V
连续漏极电流:8.9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4939NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1979pF@15V
连续漏极电流:8.9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":36000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4939NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1979pF@15V
连续漏极电流:8.9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":63000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1795pF@13V
连续漏极电流:16.7A€49A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":63000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1795pF@13V
连续漏极电流:16.7A€49A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@24V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2236
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5820NLTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€33W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1462pF@25V
连续漏极电流:11A€37A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
输入电容:1850pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:28nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:14A€28A
功率:2.5W€33W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5820NLTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€33W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1462pF@25V
连续漏极电流:11A€37A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{}
规格型号(MPN):FDMS7680
输入电容:1850pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:28nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:14A€28A
功率:2.5W€33W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1795pF@13V
连续漏极电流:16.7A€49A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5820NLTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€33W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1462pF@25V
连续漏极电流:11A€37A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@24V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5820NLTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€33W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1462pF@25V
连续漏极电流:11A€37A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5820NLTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€33W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1462pF@25V
连续漏极电流:11A€37A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: