采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：20A€80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：20A€80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：20A€80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C456NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：20A€80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C456NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：20A€80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：20A€80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C454NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€85A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C456NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：87A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：32866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9511L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：68.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C456NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：20A€80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
