品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD8N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.25A,10V
漏源电压:500V
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功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
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连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.25A,10V
漏源电压:500V
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漏源电压:500V
栅极电荷:18nC@10V
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工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
导通电阻:850mΩ@3.25A,10V
类型:N沟道
功率:90W
连续漏极电流:6.5A
输入电容:735pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
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